[发明专利]高Q值电感器的制作方法无效
| 申请号： | 201010187370.2 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101894742A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高Q值电感器的制作方法，所述方法包括如下步骤：提供一高阻值半导体衬底；在所述高阻值半导体衬底上沉积一层绝缘层；在所述绝缘层上制作电感器主体；在所述电感器主体上沉积钝化层，其中所述制作方法不包括合金化步骤。本发明提供了一种高Q值电感器的制作方法，所述制作方法通过在现有的制作电感器步骤的基础上，删除了合金化的处理，能够提高电感器的品质因子，从而提高了电感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高Q值电感器的制作方法，包括如下步骤：提供一高阻值半导体衬底；在所述高阻值半导体衬底上沉积一层绝缘层；在所述绝缘层上制作电感器主体；在所述电感器主体上沉积钝化层，其中所述高Q值电感器的制作方法不包括合金化步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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