[发明专利]制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法无效
| 申请号： | 201010187376.X | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101872127A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法包括以下步骤：在一个晶圆的表面上涂上厚度不均匀的光刻胶；将涂覆有光刻胶的晶圆表面划分成多个区域，同一区域内，光刻胶的厚度相同；对所述晶圆表面的各个区域进行逐个曝光，将掩模版上的图案逐个复制到所述各个区域的光刻胶上；通过显影，在所述晶圆的表面上显现出测量光刻胶厚度及测量关键尺寸大小的图案；测量所述晶圆表面各个区域的光刻胶厚度及对应厚度下的关键尺寸的大小，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本发明的制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法降低了成本、且节约了时间。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 光刻 厚度 关键 尺寸 关系 曲线 方法 | ||
【主权项】：
一种制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，包括以下步骤：在一个晶圆的表面上涂上厚度不均匀的光刻胶；将涂覆有光刻胶的晶圆表面划分成多个区域，同一区域内，光刻胶的厚度相同；对所述晶圆表面的各个区域进行逐个曝光，将掩模版上的图案逐个复制到所述各个区域的光刻胶上；通过显影，在所述晶圆的表面上显现出测量光刻胶厚度及测量关键尺寸大小的图案；测量所述晶圆表面各个区域的光刻胶厚度及对应厚度下的关键尺寸的大小，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。
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