[发明专利]横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201010187627.4 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102263029A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 桂林春;王乐;林奕琼 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积场板介电层，图形化所述场板介电层，形成横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的场板。本发明通过在半导体衬底上沉积场板介电层以制作场板，场板下方的电场线不发生弯曲，解决了因电场线弯曲引起的沟道穿通问题；同时，通过各向同性刻蚀方法在场板边缘形成了斜坡状过渡，所述场板边缘的斜坡状过渡使得场板上的栅电极不会因为尖端放电而被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积场板介电层；图形化所述场板介电层，形成横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的场板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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