[发明专利]光掩膜层及其形成方法有效
| 申请号： | 201010188921.7 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102262351A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 卜维亮;李健;张炳一 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光掩膜层及其形成方法，包括步骤：提供半导体基底，其包括衬底，及位于衬底上的待刻蚀膜层；在所述待刻蚀膜层上形成全反膜，所述全反膜的上表面具体有全反膜；在所述全反膜上形成光刻胶层，所述全反膜朝向光刻胶层的表面为透射面，所述全反膜朝向待刻蚀膜层的表面为反射面。本发明提高光掩膜层的曝光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种光掩膜层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体基底，其包括衬底，及位于衬底上的待刻蚀膜层；在所述待刻蚀膜层上形成全反膜，所述全反膜的上表面具体有全反膜；在所述全反膜上形成光刻胶层，所述全反膜朝向光刻胶层的表面为透射面，所述全反膜朝向待刻蚀膜层的表面为反射面。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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