[发明专利]在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201010189112.8 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101859814A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 吴志浩;宋明辉;陈长清;方妍妍;戴江南;余晨辉;熊晖 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的GexSi1-x应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge薄膜层，接着在上述Ge/GexSi1-x/Si模板上，外延生长形成包括底部Ge子电池、中部GaAs子电池和顶部InGaP子电池的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池。本发明用低价格的Si衬底取代了传统生长方法所必需使用的昂贵的Ge衬底，进行高效太阳能电池的生长；同时在Si衬底可以生长出更大面积、低缺陷密度的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池，大大降低了InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 ingap gaas ge 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，具体为：(1)在硅衬底表面上生长Ge组分从零渐变到1的GexSi1-x应力过渡层，0≤x≤1；(2)在GexSi1-x应力过渡层上生长应力完全弛豫的Ge薄膜层；(3)在Ge薄膜层上形成底部Ge子电池；(4)在底部Ge子电池上外延生长形成中部GaAs子电池；(5)在中部GaAs子电池上外延生长形成顶部InGaP子电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
