[发明专利]一种相变材料抛光后清洗液有效
| 申请号： | 201010189161.1 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102268332A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;钟旻;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C11D1/86 | 分类号： | C11D1/86;C11D1/62;C11D1/72;C11D1/04;C11D3/04;C11D3/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 抛光 清洗 | ||
【主权项】：
一种相变材料抛光后清洗液，包括氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和水性介质。
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