[发明专利]一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用有效
| 申请号： | 201010189172.X | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101857774A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 汪海波;宋志棠;刘卫丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用，本发明的抛光组合物，包括水、磨料和氟离子速率促进剂，所述抛光组合物的pH值为碱性，且金属杂质含量在100ppm以下。本发明的抛光组合物能显著提高抛光速率与表面质量，提高生产效率，减小抛光后清洗难度，并且本抛光液不含金属杂质，不会对抛光后硅片产生不利的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 衬底 化学 机械抛光 速率 抛光 组合 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种用于硅衬底化学机械抛光的抛光组合物，包括水、磨料和氟离子速率促进剂，所述抛光组合物的pH值为碱性，且金属杂质总含量在100ppm以下。
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