[发明专利]一种MOS型功率器件及其制造方法

摘要

一种MOS型功率器件包括：P型集电区；N型漂移区，位于P型集电区上；P阱，在漂移区上选择性地形成，与N型漂移区的导电类型相反；N型源区在P阱的表面区域选择性地形成；第一绝缘层位于N型漂移区上并部分地覆盖P阱；门极位于第一绝缘层上；第二绝缘层覆盖门极并部分覆盖N型源区；发射极电极覆盖第二绝缘层并部分电连接P阱和N型源区；集电极电极位于P型集电区背面并电连接P型集电区；其中P阱体内具有一导电杂质浓度峰值区域，其杂质浓度从浓度峰值区域到P阱的边缘呈递减趋势，P阱的结弯曲中心在体内；以及MOS型功率器件的制造方法。这样体内的电阻率降低的同时满足了表面沟道长度的要求，使得体电阻减小，从而减小了闩锁效应。

主权项

一种MOS型功率器件，包括：第一导电类型集电区(304)；第二导电类型漂移区(303)，位于所述第一导电类型集电区上；第一阱(301)，其在漂移区上选择性地形成，与第二导电类型漂移区的导电类型相反；第二导电类型源区(302)，其在第一阱的表面区域部分的选择性地形成；第一绝缘层(305)，位于第二导电类型漂移区(303)上面并且部分地覆盖第一阱(301)；门极(308)，位于第一绝缘层(305)上；第二绝缘层(307)，覆盖门极(308)并且部分覆盖第二导电类型源区(302)；发射极电极(309)，覆盖第二绝缘层(307)并且部分电连接第一阱(301)和第二导电类型源区(302)；集电极电极(310)，位于第一导电类型集电区(304)背面并电连接第一导电类型集电区(304)；其特征在于：所述第一阱(301)体内具有一导电杂质浓度峰值区域，第一阱(301)的导电杂质浓度从导电杂质浓度峰值区域到第一阱(301)的边缘呈递减趋势，第一阱(301)的结弯曲中心在体内，其第一阱(301)的结深为：2um到15um，第一阱(301)在第二导电类型漂移区(303)表面形成的沟道长度为：1um到10um。