[发明专利]具有一侧接触的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010190609.1 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102034792A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李镇九;李泳昊;李美梨 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有一侧接触的半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成掺杂有杂质用于形成单元结的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；通过蚀刻第二导电层和第一导电层形成多个有源区，所述多个有源区通过沟槽彼此隔离；形成侧接触，所述侧接触与有源区的第一导电层的侧壁连接；以及形成多个金属位线，每个金属位线均与侧接触连接并填充每个沟槽的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 一侧 接触 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：多个有源区，每个所述有源区均设置为具有掺杂有杂质用于形成单元结的掺杂的导电层图案，所述多个有源区通过沟槽彼此隔离；侧接触，所述侧接触设置为与所述有源区的所述导电层图案的侧壁连接；以及金属位线，每个所述金属位线均设置为与所述侧接触连接并填充每个沟槽的一部分。
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