[发明专利]一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201010191134.8 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101887883A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 洪根深;肖志强;陈海峰 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法，其包括衬底及位于衬底上的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层上设有金属互连层、反熔丝下极板及氧化层；所述氧化层包覆金属互连层与反熔丝下极板，所述反熔丝下极板与金属互连层间利用氧化层相隔离；所述金属互连层上设有连接孔，所述连接孔从氧化层的表面延伸到金属互连层，连接孔内填充有金属电极；反熔丝下极板上设有反熔丝孔，所述反熔丝孔从氧化层的表面延伸到反熔丝孔；所述反熔丝孔内依次填充有高阻介质层、反熔丝上极板及金属电极；所述金属电极与反熔丝上极板、金属互连层均电性连接。本发明工艺操作简单、可靠性高、兼容性好、抗辐射能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mtm 反熔丝 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MTM反熔丝单元结构，包括衬底(100)及位于衬底(100)上的绝缘支撑层(101)；其特征是：所述绝缘支撑层(101)上设有金属互连层(109)、反熔丝下极板(110)及氧化层(104)；所述氧化层(104)包覆金属互连层(109)与反熔丝下极板(110)，所述反熔丝下极板(110)与金属互连层(109)间利用氧化层(104)相隔离；所述金属互连层(109)上设有连接孔(111)，所述连接孔(111)从氧化层(104)的表面延伸到金属互连层(109)，连接孔(111)内填充有金属电极(108)；反熔丝下极板(110)上设有反熔丝孔(112)，所述反熔丝孔(112)从氧化层(104)的表面延伸到反熔丝孔(112)；所述反熔丝孔(112)内依次填充有高阻介质层(106)、反熔丝上极板(107)及金属电极(108)；所述金属电极(108)与反熔丝上极板(107)、金属互连层(109)均电性连接。
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