[发明专利]片外谐波吸收回路有效
| 申请号： | 201010191193.5 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102270968A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 郝明丽;张宗楠;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率放大器的片外谐波吸收回路，属于通信技术领域。此种吸收回路应用于射频功率放大器电路，与射频功率放大器的微波单片集成电路(MMIC)分离，且该谐波吸收回路主要基于PCB基板来实现，由PCB上微带线、表贴电容元件、PCB上接地通孔、连接片内和片外电路的压焊金丝串联构成。通过金丝连接，使吸收回路与MMIC输出端并联。通过上述吸收回路中的元件产生串联谐振点，来吸收MMIC工作时产生的谐波成分。而本发明通过对金丝长度的灵活控制来改变金丝的电感量，实现对工作频带内产生的谐波进行有效地吸收，提高放大器电路的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 谐波 吸收 回路 | ||
【主权项】：
一种片外谐波吸收回路，其特征在于，包括：依次串联的金丝、PCB上的微带线、表贴电容以及PCB上的接地孔。
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