[发明专利]掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法无效
| 申请号： | 201010192338.3 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101864595A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘景和;李春;曾繁明;张学建;张莹;林海;金银锁;秦杰明;董仲伟;董国飞 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B15/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂；其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8过量加入，晶体生长工艺参数确定为提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋转速度：3～10rpm，生长温度：745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体，适用于大功率固体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种掺铒氟化钆锂晶体，属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，其特征在于，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂。
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