[发明专利]一种透射电子显微镜观测样品制备方法有效
| 申请号： | 201010192437.1 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102269771A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张玉多;刘君芳;谢火扬;陈卉;卢秋明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种透射电子显微镜观测样品制备方法，包括以下步骤：提供一需观察的半导体器件，所述半导体器件包括衬底和位于所述衬底上的图形层，在所述图形层之上固定一新衬底，形成一新的半导体器件；去除所述衬底；观察所述暴露出的图形层，确定其上需通过透射电子显微镜进行进一步观察的图形区域；沿所述新的半导体器件的垂直截面方向对所述新的半导体器件进行切割减薄，使所述暴露出的图形层上需通过透射电子显微镜进行进一步观察的图形区域的截面暴露出来，并形成厚度符合透射电子显微镜观测要求的观测样品。本发明的透射电子显微镜观测样品制备方法可确保通过TEM观测得到的图形线宽等数据的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透射 电子显微镜 观测 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透射电子显微镜观测样品制备方法，包括以下步骤：提供一需观察的半导体器件，所述半导体器件包括衬底和位于所述衬底上的图形层，在所述图形层之上固定一新衬底，形成一新的半导体器件；去除所述衬底，使所述图形上紧邻所述衬底的图形层暴露出来；观察所述暴露出的图形层，确定其上需通过透射电子显微镜进行进一步观察的图形区域；沿所述新的半导体器件的垂直截面方向对所述新的半导体器件进行切割减薄，使所述暴露出的图形层上需通过透射电子显微镜进行进一步观察的图形区域的截面暴露出来，并形成厚度符合透射电子显微镜观测要求的观测样品。
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