[发明专利]沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法有效
| 申请号： | 201010192803.3 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102146553A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 林思宏;杨棋铭;陈其贤;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06;C23C14/14;C23C16/44;C23C16/56;C23C16/06;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 金属膜 具有 图案 构造 基板上 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，包括：放置一具有图案化构造的基板于一气体团簇离子束工艺腔体中，该气体团簇离子束即GCIB；在GCIB工艺腔体中借由使用离子团簇的处理气体，施以一基板的表面处理，以移除该基板的一表面层或将该表面层转换；以及在GCIB工艺腔体中借由使用GCIB法沉积一含金属膜，从底部往上填入该图案化构造，其中极少的含金属膜沉积在该图案化构造的侧壁上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010192803.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
