[发明专利]装置及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201010192817.5 申请日: 2010-05-27
公开(公告)号: CN102157662A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 黄信杰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;高雪琴
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及装置及其形成方法。本发明是利用多重基板穿孔插销以电性连接形成于基板上的发光装置。一第一基板穿孔插销自基板的一后侧至一前侧而延伸穿透基板,且包括电性连结于发光装置的一第一覆盖层的一第一基板穿孔插销导体。一第二基板穿孔插销自基板的一后侧至第一覆盖层或一透明导电层而延伸穿透基板与发光装置的一有源层。第二基板穿孔插销包括电性隔离于一第二基板穿孔插销导体与第一覆盖层及有源层的一隔离层。可形成假基板穿孔插销,以选择性地传导来自于发光装置的热通过一封装基板。本发明可轻易地使用覆晶接合而完成封装。再者,上述工艺步骤仅两道掩模的少量光罩的使用,因此其制造成本为低。
搜索关键词: 装置 及其 形成 方法
【主权项】:
一种装置,包括:一基板,包括一前表面与一后表面;一发光装置,位于该基板上,其中该发光装置包括:一第一覆盖层;一有源层,位于该第一覆盖层上;以及一第二覆盖层,位于该有源层上;一第一基板穿孔插销,自该基板的该后表面延伸至该基板的该前表面,该第一基板穿孔插销包括了一第一基板穿孔插销导体;以及一第二基板穿孔插销,自该基板的该后表面延伸至该第二覆盖层,该第二基板穿孔插销包括了一第二基板穿孔插销导体与一隔离层,而该隔离层电性隔离了于该第二基板穿孔插销内的第二基板穿孔插销导体与该基板、该第一覆盖层与该有源层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010192817.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top