[发明专利]一种高压功率快恢复平面二极管芯片制造方法

摘要

一种高压功率快恢复平面二极管芯片制造方法，用光刻胶掩蔽P-主结区窗口和终端分压环区窗口，再采用低剂量硼离子注入，同时在较低的温度下推结，形成低浓度浅PN结，再用薄氧化层掩蔽PN结结终端。采用本发明制造方法，主结与终端分压环均为低浓度浅结，即保证了阳极发射效率技术的效果，薄氧化层掩蔽PN结终端后，降低了可动铂原子对漏电的影响，保证了产品的高成品率，实验证明，采用本发明方法制成的芯片的成品率达到90％以上；采用本发明制造方法，采用薄氧化层掩蔽PN结，薄氧化层中含有的可动铂原子总量与厚氧化层相比要少10倍以上，因此，扩铂对氧化层质量的影响不大，扩铂前后合格率不会有明显降低。

主权项

一种高压功率快恢复平面二极管芯片制造方法，其特征在于通过以下步骤实现：第一步，在低阻N+衬底层(2)上外延制备高阻N-层(1)，在高阻N-层(1)上制备厚氧化层(6)，光刻并腐蚀厚氧化层(6)形成P-主结区窗口(8)和终端分压环区窗口(9)；第二步，用光刻胶掩蔽P-主结区窗口(8)外侧3～30微米，掩蔽终端分压环区窗口(9)外侧3～10微米；第三步，采用剂量1×1011～1014cm-2的硼离子注入后，将光刻胶去除；第四步，在1000～1100度高温下驱入硼离子，形成P-主结区(3)和终端分压环区(4)，并同时形成薄氧化层(5)；第五步，光刻并腐蚀，形成扩铂窗口(7)，去胶；第六步，扩铂，制备金属电极和金属场板，完成芯片制造。