[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010193197.7 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101894908A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 卢敬权 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息技术存储领域。所述阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的阻变材料层，所述上电极和下电极为金属电极或金属化合物电极，所述阻变材料层由经过抛光处理的导电衬底及其上的TiO2薄膜组成，所述导电衬底为1％-7％Nb掺杂的SrTiO3单晶。本发明阻变存储器具有较为稳定的具有实用价值的中间阻态，实现了多级存储，从而提高了阻变存储器的存储能力；并且本发明克服了现有阻变材料层阻变参数随机性大的问题，提高了阻变材料层的的阻变性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的阻变材料层，所述上电极和下电极为金属电极或金属化合物电极，其特征在于，所述阻变材料层由经过抛光处理的导电衬底及其上的TiO2薄膜组成，所述导电衬底为1％‑7％Nb掺杂的SrTiO3单晶。
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