[发明专利]一种制备高产量SiC纳米线的方法无效
| 申请号： | 201010193671.6 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101850971A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 陈建军;石强;辛利鹏;朱小燕;刘仁娟 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高产量SiC纳米线的方法，本发明步骤为：以质量百分比为36.8％～95.2％的工业硅粉或二氧化硅粉和质量百分比为4.8％～63.2％的工业可膨胀石墨为原材料进行机械混合，装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内，抽真空后充入氩气作为保护气，然后以2～15℃/min的速度升温至1300～1700℃，保温1～8h，整个制备过程保持炉内压强低于1.0MPa，自然冷却至室温，开炉即得SiC纳米线。本发明原料廉价易得、工艺简单、无催化剂使用，产率最高可达65％，适宜SiC纳米线的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 产量 sic 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高产量SiC纳米线的方法，其特征在于：采用工业可膨胀石墨为碳源，将SiC前驱体混合物装入石墨坩埚并置于高温气氛炉内，抽真空后充入氩气作为保护气，然后以2～15℃/min的速升温至1300～1700℃，保温1～8h，整个制备过程保持炉内压强低于1.0MPa，自然冷却至室温，开炉即得SiC纳米线。
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