[发明专利]固态影像拾取元件、其制造方法以及使用其的电子设备无效
| 申请号： | 201010193928.8 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101908550A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 东宫祥哲;田渊清隆;志贺康幸;杉浦岩;宫下直幸;岩崎正则;国分胜则;山崎知洋 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335;H04N3/15 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种固态影像拾取元件、其制造方法以及使用其的电子设备。该固态影像拾取元件包括：半导体衬底；像素部分，形成在半导体衬底上以及布置每个具有光电转换部分的多个像素的；绝缘层，形成在所述半导体衬底上，以覆盖所述光电转换部分；孔部分，形成在所述绝缘层中及所述光电转换部分上方；氮化硅层，形成以覆盖所述孔部分的底表面和侧表面；以及埋设层，形成在所述氮化硅层上，其中，所述氮化硅层被形成以包含通过利用原子层沉积方法所形成的氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 影像 拾取 元件 制造 方法 以及 使用 电子设备 | ||
【主权项】：
一种固态影像拾取元件，包括：半导体衬底；像素部分，形成在半导体衬底上以及布置每个具有光电转换部分的多个像素的；绝缘层，形成在所述半导体衬底上，以覆盖所述光电转换部分；孔部分，形成在所述绝缘层中及所述光电转换部分上方；氮化硅层，形成以覆盖所述孔部分的底表面和侧表面；以及埋设层，形成在所述氮化硅层上，其中，所述氮化硅层被形成以包含通过利用原子层沉积方法所形成的氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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