[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010194102.3 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101901860A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 浦田章纮 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。该元件包括：包括位错束集中区的n型氮化物半导体衬底；和在所述n型氮化物半导体衬底上的氮化物半导体堆叠体，具有按以下顺序的n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光元件具有：在对应于所述位错束集中区的所述氮化物半导体堆叠体的区中的电介质区，提供与部分所述p型氮化物半导体层和部分所述电介质区接触的p型电极，和所述n型氮化物半导体衬底的其上提供所述氮化物半导体堆叠体的侧相对的侧上提供的n型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，包括：包括位错束集中区的n型氮化物半导体衬底；和在所述n型氮化物半导体衬底上的氮化物半导体堆叠体，具有按该顺序的n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光元件具有：在对应于所述位错束集中区的所述氮化物半导体堆叠体的区中的电介质区，提供与部分所述p型氮化物半导体层和部分所述电介质区接触的p型电极，和所述n型氮化物半导体衬底的其上提供所述氮化物半导体堆叠体的侧相对的侧上提供的n型电极。
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