[发明专利]晶片级回焊设备和焊料球体与倒装芯片组装体的制造有效
申请号: | 201010194540.X | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN102263042A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 刘乃硕;何明哲;郑明达;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K3/00 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;高雪琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示晶片级回焊设备和焊料球体与倒装芯片组装体的制造方法。所述晶片级回焊设备包括多个受热区及一传输带将一晶片传送至各受热区。各受热区包括一加热盘具有同心圆配置的多个加热体,一红外线温测装置,及一控制器分别控制各加热体的输出,其中该红外线温测装置监测该晶片表面的多个区域的温度,并即时回馈此温度至该控制器使晶片的表面的焊料凸块受热温度均匀。本发明可有效地改善具有晶片和不具有晶片状态下的介金属化合物结构以及不具有晶片状态下的焊料凸块的高度均匀性。另外,由于需重新回焊的比率很低,因此晶片整体的高度差。另外,因形成焊料凸块桥接与不规则的凸块较少,因而可提升焊料凸块良率。 | ||
搜索关键词: | 晶片 级回焊 设备 焊料 球体 倒装 芯片 组装 制造 | ||
【主权项】:
一种晶片级回焊设备,包括:多个受热区,各受热区包括:一加热盘,具有同心圆配置的多个加热体;一红外线温测装置;及一控制器,分别控制各加热体的输出;以及一传输带,将一晶片传送至各受热区,其中该红外线温测装置的温度测该晶片表面的多个区域,并即时回馈此温度至该控制器使该晶片表面的焊料凸块受热温度均匀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010194540.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造