[发明专利]一种Nb2O5改性的PZT基压电复合陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010194566.4 申请日: 2010-06-08
公开(公告)号: CN101838145A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 曹茂盛;王大伟;袁杰;李洪波;张德庆 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: C04B35/491 分类号: C04B35/491;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种五氧化二铌Nb2O5改性的PZT基压电复合陶瓷及其制备方法,属于无机非金属材料技术领域。组成式:xPZT/yZnOw/zNb2O5,其中x+y=1,0.8≤x≤0.99,0.01≤y≤0.2,0.0025≤z≤0.03。将PZT、ZnOw和Nb2O5加入到球磨机中球磨然后研磨过筛;加聚乙烯醇水溶液,搅拌均匀后研磨过筛;干压成型后,排胶、烧结出陶瓷片;再经切割加工、涂银浆、上电极、极化老化后,得Nb2O5改性的PZT基压电复合陶瓷。本发明降低了压电陶瓷的烧结温度,提高了ZnOw/PZT复合陶瓷的电学性能,同时其制备操作工艺简单、成本低,能够满足工业化推广和应用的要求。
搜索关键词: 一种 nb sub 改性 pzt 压电 复合 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种Nb2O5改性的PZT基压电复合陶瓷,其特征在于组成式及各组分的质量百分比为:组成式:xPZT/yZnOw/zNb2O5,其中x+y=1,0.8≤x≤0.99,0.01≤y≤0.2,0.0025≤z≤0.03,即PZT与ZnOw组分质量百分比为80%~99%∶1%~20%,Nb2O5占PZT和ZnOw总质量的0.25%~3%。
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