[发明专利]一种新型结构的薄膜太阳电池无效
申请号: | 201010194951.9 | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN101882637A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 丁建宁;袁宁一;王秀琴;丁古巧 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0256;H01L31/0232;H01L31/20 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种新型结构的薄膜太阳电池,采用PIN结构,本征吸收层I利用多个不同带隙的薄膜材料组成,同时在相邻不同带隙的薄膜之间设计增反层,当光照射在增反层的上下表面,提高分波段光吸收的效果。每层增反层厚度有数个起伏,在一定的波长范围内起增反的作用。本发明一方面提高光的吸收效率,另一方面降低高能光子入射被吸收产生电子空穴对后,剩余能量造成的太阳电池温度的升高,避免了多结薄膜电池的短路电流受制于其中最低单节短路电流的问题,同时避免了P/N界面的势垒影响,降低了P/I界面的影响。由于增反层的增反效果,提高了分波段光的吸收效率;由于增反层薄膜的电阻很小,由此引入的负载电阻对短路电流的影响很小。有效提高薄膜太阳电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 结构 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种新型结构的薄膜太阳电池,包括衬底、本征吸收层,其特征在于:本征吸收层由多个不同带隙的薄膜材料组成,同时在相邻两个不同带隙的薄膜之间设有增反层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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