[发明专利]坝料组合物及多层半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010194971.6 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101899195A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 隅田和昌 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;C08L63/02;C08K9/06;C08K3/36;C08G59/50;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种坝料组合物等，所述坝料组合物具有如下特点：在密封具有通过FC安装、TSV连接等制造的多层结构的半导体芯片时，可以在基板上按照较高的高径比成型和涂布，不会有底部填充剂从基板中溢出可以完全填充到元件之间等的缝隙间，并且可以形成相对于底部填充剂粘合力较高，且强韧的固化物。所述多层半导体装置用底部填充剂的坝料组合物包括下述组分：(A)环氧树脂：100质量份，(B)固化剂：1～50质量份，(C)平均粒径为0.1～10μm，且最大粒径在75μm以下的无机填充剂：30～1000质量份，(D)平均粒径在0.005μm以上且小于0.1μm、且表面经甲硅烷基化处理的二氧化硅：1～20质量份。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 多层 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多层半导体装置用底部填充剂的坝料组合物，其含有以下成分：(A)环氧树脂： 100质量份；(B)固化剂： 1～50质量份；(C)平均粒径为0.1～10μm，且最大粒径在75μm以下的无机填充剂： 30～1000质量份；(D)平均粒径在0.005μm以上且小于0.1μm、且表面经甲硅烷基化处理的二氧化硅： 1～20质量份。
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