[发明专利]一种具有较高载流子传输特性的TFT基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201010195770.8 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101859800A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/16;H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有较高载流子传输特性的硅薄膜及其制备方法，涉及真空镀膜技术。该硅薄膜是由非晶硅薄膜与掺杂在非晶硅薄膜中的碲化镉(CdTe)或硒化镉(CdSe)或硫化镉(CdS)等具有非线性电阻材料性质的材料组成。是采用等离子体增强化学汽相沉积技术(PECVD)来制备的。PECVD设备有多路气体接入装置，可以同时将几种气体导入到设备的反应腔体内，进行掺杂非晶硅薄膜的生长。使用本发明可保证掺杂的非晶硅薄膜致密且厚度均匀。本发明不但提高了非晶硅薄膜载流子迁移率，而且使用本发明的非晶硅薄膜来制备的薄膜晶体管(TFT)性能与低温多晶硅制备的TFT性能相当，并可以大幅度地降低TFT基板的制备成本，还简化TFT相关的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 载流子 传输 特性 tft 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有较高载流子传输特性的TFT基板，包括玻璃基板(1)、非晶硅薄膜(2)，其特征在于：在所述非晶硅薄膜(2)中掺杂有非线性电阻材料。
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