[发明专利]一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201010195799.6 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102270736A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马勤礼;刘厚方;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜由下至上依次包括：基片、底层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测磁性层具有钉扎结构，用于感应被探测磁场。本发明通过在AFM和FM之间加入插入层减小了直接交换偏置的钉扎效果，并且通过调节该插入层的厚度有效调控间接交换偏置的钉扎效果，以得到在外磁场为零时参考磁性层和探测磁性层的磁矩相互垂直，从而获得具有线性响应的基于GMR或TMR效应的线性磁敏传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 传感器 磁性 纳米 多层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜，由下至上依次包括：基片；底层；参考磁性层；中间层；探测磁性层；和覆盖层；其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测磁性层具有钉扎结构，用于感应被探测磁场。
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