[发明专利]光电转换装置和成像装置有效
申请号: | 201010196428.X | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN101908597A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 三井哲朗;野村公笃;养父克行 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L27/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明提供一种光电转换装置,其包括:透明导电膜;光电转换膜;和导电膜,其中所述的光电转换膜含有由下式(i)表示的化合物,其中R2至R9中的每一个独立地表示氢原子或取代基,条件是R3,R4,R7和R8中的至少两个中的每一个独立地表示芳基,杂环基或-N(Ra)(Rb),Ra和Rb中的每一个独立地表示氢原子或取代基,并且至少Ra或Rb表示芳基或杂环基;并且R1表示烷基,芳基或杂环基。 |
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搜索关键词: | 光电 转换 装置 成像 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换装置,所述光电转换装置包括:透明导电膜;光电转换膜;和导电膜,其中所述的光电转换膜含有由下式(i)表示的化合物:式(i):
其中R1表示烷基,芳基或杂环基,R2至R9中的每一个独立地表示氢原子或取代基,条件是R3,R4,R7和R8中的至少两个中的每一个独立地表示芳基,杂环基或-N(Ra)(Rb),Ra和Rb中的每一个独立地表示氢原子或取代基,并且至少Ra或Rb表示芳基或杂环基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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