[发明专利]太阳电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201010196454.2 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101908565A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 傅田敦;斋藤广美 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳电池及其制造方法。提供高效率的太阳电池。具备基板、形成于前述基板之上的下部电极层、形成于前述下部电极层之上的半导体层、和形成于前述半导体层之上的上部电极层；前述下部电极层以形成于前述基板之上的第1下部电极层、和形成于前述第1下部电极层之上的第2下部电极层所构成；前述第1下部电极层相比于前述第2下部电极层，以电阻率较低的材料所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池，其特征在于，具备：基板，形成于前述基板上的下部电极层，形成于前述下部电极层上的半导体层，和形成于前述半导体层上的上部电极层；前述下部电极层包括第1下部电极层和第2下部电极层；前述第1下部电极层，与前述第2下部电极层相比，以电阻率低的材料所构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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