[发明专利]多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010196468.4 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101895060A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 钱波;蒋春萍;王亦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/30 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法，其中激光器的主要结构为形成于硅基底上的微盘微腔集合体，且各微盘表面设有波段可调的增益介质。增益介质为与SiO2微盘基底结合牢固的薄膜介质材料，激光波段由增益介质波段决定；模式位置由SiO2微盘结构尺寸和薄膜自身厚度决定。本发明制作过程基于现代微电子成熟工艺制备而成，该硅基微盘微腔结构，不仅可以作为硅基光源器件，也可以作为硅芯片为基底的光互联通讯、光子计算芯片、硅基传感器、滤波器、探测器的核心元件，拥有高灵敏度、低成本、宽范围、芯片可集成等优点。在腔量子电动力学即微腔限制情况下光与物质相互作用等量子光学和量子信息研究领域也具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 波段 硅基微盘 混合 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
多波段硅基微盘混合激光器，其特征在于：所述激光器的主要结构为形成于硅基底上的微盘微腔集合体，且各微盘表面设有波段可调的增益介质。
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