[发明专利]一种消除SnBi焊料与铜基底连接界面脆性的方法无效
| 申请号： | 201010196699.5 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102275043A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张青科;邹鹤飞;张哲峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B23K31/02 | 分类号： | B23K31/02;C22C9/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子互连无铅封装领域，具体为一种利用铜银合金消除SnBi/Cu连接偶界面脆性的方法，这种方法消除了传统的纯铜基底与SnBi焊料连接在使用过程中由于热时效产生的界面Bi偏聚导致的界面脆性，解决了SnBi焊料在Cu基底上使用的时效不可靠问题。通过向Cu基底中加入少量的Ag(0.6-2at％)，减少了界面Cu3Sn化合物的生成而降低了Bi原子的析出量，同时也增加了Bi在基体中的溶解度；通过适当降低回流温度减少了Bi在化合物中的固溶度，进而减少了Bi原子的析出量。二者共同作用达到了抑制Bi在界面上偏聚的效果，消除了界面的时效脆性，从而改善了SnBi焊料在微电子封装时的可靠性，为推广SnBi等无铅焊料的工业化应用提供了一种理想的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 snbi 焊料 基底 连接 界面 脆性 方法 | ||
【主权项】：
一种消除SnBi焊料与铜基底连接界面脆性的方法，其特征在于：在传统的纯铜基底中增加Ag元素，改传统的纯铜基底为铜银合金基底。
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