[发明专利]静态随机存取存储器电路与静态随机存取存储单元阵列有效
| 申请号： | 201010196921.1 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102117651A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静态随机存取存储器电路与双端口静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储器电路包括至少一静态随机存取存储单元阵列，而静态随机存取存储单元阵列包括多列和多行，并且列和行的交点均具有一静态随机存取存储单元。其中每一个上述静态随机存取存储单元具有一第一字线和一第二字线，第一字线连接至一第一耦合噪声限制电路，并且第一耦合噪声限制电路包括具有一第一NMOS场效应晶体管和一第一PMOS场效应晶体管的一第一反向器以及一第二NMOS场效应晶体管。本发明可大幅地降低介于所选择字线与其相邻未选择字线之间的反射噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 电路 随机存取 存储 单元 阵列 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器电路，包括：至少一静态随机存取存储单元阵列，上述静态随机存取存储单元阵列包括多列和多行，上述列和行的交点均具有一静态随机存取存储单元；其中每一个上述静态随机存取存储单元具有一第一字线和一第二字线；其中上述第一字线连接至一第一耦合噪声限制电路。
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