[发明专利]一种掺氮晶体硅及其制备方法无效
| 申请号： | 201010197768.4 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101845666A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王敬;翟志华 | 申请（专利权）人： | 王敬;江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺氮多晶硅锭的制备方法，包括在石英坩埚中装入多晶硅料与粒径为1～100nm的氮化硅纳米粉末以及电活性掺杂剂的混合物并装炉，将炉室抽真空后加热至1420～1550℃，并在该温度保温直至所述混合物完全熔化，得到熔融硅料混合物；接着使所述熔融硅料混合物凝固，得到多晶硅锭，其中所述电活性掺杂剂为B、P、或Ga的任一种，其加入量为使得所形成的多晶硅锭中的电活性掺杂剂浓度为0.02～2ppm的量，所述氮化硅纳米粉末的加入量为使得在所述多晶硅锭中的氮浓度为0.0002～1ppm的量。根据本发明的掺氮多晶硅的制备方法，可以利用现有的设备进行掺氮，掺氮均匀、掺氮浓度高、整个工艺简单易控、且成本低。此外，本发明还公开了一种掺氮单晶硅锭的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺氮多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在石英坩埚中装入多晶硅料与粒径为1～100nm的氮化硅纳米粉末以及电活性掺杂剂的混合物并装炉，将炉室抽真空后加热至1420～1550℃，并在该温度保温直至所述混合物完全熔化，得到熔融硅料混合物；和(2)使所述熔融硅料混合物凝固，得到多晶硅锭，其中，步骤(1)中所述电活性掺杂剂为B、P、或Ga的任一种，其加入量为使得所形成的多晶硅锭中的电活性掺杂剂浓度为0.02～2ppm的量，所述氮化硅纳米粉末的加入量为使得在所述多晶硅锭中的氮浓度为0.0002～1ppm的量。
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