[发明专利]一种准单晶硅的铸锭方法无效
| 申请号： | 201010198142.5 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101864594A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 黄新明;钟根香;赵波;徐芳华 | 申请（专利权）人： | 晶海洋半导体材料(东海)有限公司;绍兴县精功机电研究所有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 222300 江苏省连云港市东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种准单晶硅的铸锭方法，含以下步骤：(1)选取籽晶铺设在石英坩埚底部，在籽晶上面添加硅料并加入掺杂剂；(2)将装有上述原料的坩埚进行抽真空并加热，分段升温使上部的硅料熔化，至熔化后期籽晶开始熔化时，控制加热器温度、坩埚底部温度及其升温速率，使籽晶部分熔化，然后进入长晶阶段；(3)在长晶阶段，将加热器温度分段降温，使硅晶体沿未熔化的籽晶方向生长，待硅晶体长成后，经退火冷却得到大晶粒硅锭；(4)将大晶粒硅锭经后续处理得准单晶硅。该方法熔化、长晶等在同一设备同一坩埚中完成，通过坩埚底部温度和加热器升温速率控制籽晶熔化，成本低、易操作，适合规模化生产；制备的准单晶硅转换效率高，籽晶可重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
一种准单晶硅的铸锭方法，其特征在于：包含以下步骤：(1)选取籽晶铺设在石英坩埚底部，在籽晶上面添加硅料，并根据目标电阻率加入掺杂剂；(2)将装有上述原料的坩埚置于铸锭炉中进行抽真空并加热，分段升温使上部的硅料熔化，至熔化后期，籽晶开始熔化时，控制加热器温度、坩埚底部温度及坩埚底部的升温速率，使籽晶部分熔化，然后进入长晶阶段；(3)在长晶阶段，将加热器温度分段降温，使硅晶体沿着未熔化的籽晶方向稳定生长，待硅晶体长成后，经退火、冷却得到大晶粒硅锭；(4)将大晶粒硅锭经后续处理得到用于制作太阳能电池的准单晶硅。
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