[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 201010198440.4 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101924134A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 黛哲;若林整 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：沟道区域，其形成在半导体衬底中；源极区域，其形成在沟道区域的一侧；漏极区域，其形成在沟道区域的另一侧；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜形成在所述沟道区域上；以及应力导入层，其向沟道区域施加应力，所述半导体装置具有下述应力分布，其中，源极区域侧峰值和漏极区域侧峰值位于沟道区域和源极区域的pn结边界与沟道区域和所述漏极区域的pn结边界之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：沟道区域，其形成在半导体衬底中；源极区域，其形成在所述沟道区域的一侧；漏极区域，其形成在所述沟道区域的另一侧；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜形成在所述沟道区域上；以及应力导入层，其向所述沟道区域施加应力，所述半导体装置具有下述应力分布，其中，源极区域侧峰值及漏极区域侧峰值位于所述沟道区域和所述源极区域的pn结边界与所述沟道区域和所述漏极区域的pn结边界之间。
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