[发明专利]一种磁性材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010198467.3 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101847480A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈永亮;崔雅静;赵勇;程翠华 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01F1/00 | 分类号： | H01F1/00;C01G53/04 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁性材料及其制备方法，其分子式为SmCo1-xNixAsO，0＜x＜0.3，具有ZrCuSiAs型晶体结构。该磁性材料有丰富的磁性质，0＜x＜0.2时，随着温度的降低，先后发生了铁磁和反铁磁转变，随掺Ni量的增加，铁磁转变温度和反铁磁转变温度均下降；x＝0.2时，铁磁性被完全抑制，只发生反铁磁转变；0＜x≤0.2时，在反铁磁转变温度以下，在磁化强度随磁场的变化曲线中，发生了变磁性转变；0.2＜x＜0.3时，为一种反铁磁性材料。该磁性材料可用于制作储存器、交换偏置器件；或者制成成分呈梯度分布的多组分梯度功能材料，用于磁性隧道结等；或者利用其在低温下发生变磁性转变的特点，作为低温磁性致冷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性材料，其分子式为SmCo1-xNixAsO，0＜x＜0.3，具有ZrCuSiAs型晶体结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010198467.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
- 下一篇：一种微结构框架
