[发明专利]带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管及方法有效
| 申请号： | 201010198507.4 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101872786A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 钱钦松;华国环;孙伟锋;潘晓芳;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄雪兰 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括P型碳化硅衬底，在P型碳化硅衬底上设P型外延层，在P型外延层内设源和N型漂移区，在N型漂移区内设有漏和P型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与N型漂移区之间的P型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在P型保护环的表面、漏的表面以及P型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在P型碳化硅衬底与P型外延层之间设N型浮置埋层，且所述N型浮置埋层位于P型碳化硅衬底与P型外延层交界面上。其制备方法是选择P型碳化硅衬底后，采用注入磷离子的方法制备N型浮置埋层，再进行其它常规操作。 | ||
| 搜索关键词： | 带浮置埋层 碳化硅 高压 金属 氧化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种带浮置埋层的碳化硅高压N型金属氧化物半导体管，包括：P型碳化硅衬底(1)，在P型碳化硅衬底(1)上设有P型外延层(2)，在P型外延层(2)内设有源(4)和N型漂移区(3)，在N型漂移区(3)内设有漏(5)和P型保护环(7)，在源(4)上设有源的金属引线(12)，在漏(5)上设有源漏的金属引线(11)，在源(4)与N型漂移区(3)之间的P型外延层(2)的上方设有栅氧化层(6)且与源的金属引线(12)邻接，在P型保护环(7)的表面、漏(5)的漏的金属引线(11)以外的表面、N型漂移区(3)的漏(5)和P型保护环(7)以外的表面以及P型外延层(2)的源的金属引线(12)和栅氧化层(6)以外的表面设有场氧化层(8)，在栅氧化层(6)上设有栅(10)，在漏的金属引线(11)上设有金属场极板(9)，其特征在于，在P型碳化硅衬底(1)与P型外延层(2)之间设有N型浮置埋层(13)，且所述N型浮置埋层(13)位于P型碳化硅衬底(1)与P型外延层(2)交界面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010198507.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
