[发明专利]多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备有效

专利信息
申请号: 201010199071.0 申请日: 2010-06-12
公开(公告)号: CN102274743A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 张劲松;矫义来;杨振明;田冲 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: B01J29/40 分类号: B01J29/40;B01J29/035;B01J37/10;B01J35/10;B01J20/18;B01J20/28
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体的是涉及一种多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备方法。该材料涉及到的多孔碳化硅载体具有宏观多孔结构,如泡沫结构、蜂窝结构。沸石涂层具有高的晶间孔隙率。该方法通过胶态沸石导向剂对碳化硅载体表面进行改性,实现沸石晶体在碳化硅载体表面择优生长;控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,控制沸石晶间孔隙率。该涂层材料具有高晶间孔隙率,沸石晶体尺寸小,分子扩散性能好,沸石负载量大,沸石晶体硅铝比、沸石涂层厚度可调,沸石晶体与碳化硅载体界面结合性能好。该结构催化剂有利于强化传质、传热,将会在催化、吸附、分离等领域有广泛的应用前景。
搜索关键词: 多孔 碳化硅 载体 表面 高晶间 孔隙率 涂层 材料 及其 制备
【主权项】:
一种多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料,其特征在于,该涂层材料具有高晶间孔隙率,晶间孔尺寸为2~3000纳米。
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