[发明专利]一种铜铬合金选择性表面纳米化的方法有效
| 申请号： | 201010199966.4 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101886235A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 佟伟平;王长久 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C22F1/02 | 分类号： | C22F1/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 李在川 |
| 地址： | 110004 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种铜铬合金选择性表面纳米化的方法，属于材料技术领域，按以下步骤进行：(1)选取Cr颗粒尺寸为30～180μm的铜铬合金，用刚性丸粒撞击至Cr颗粒尺寸为1～10μm，然后在真空和80～350℃初级退火；(2)将初级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击至Cr颗粒尺寸为0.1～1μm，然后在真空和280～350℃中级退火；(3)将中级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击至Cr颗粒尺寸为10～100nm，然后在真空和500～600℃最终退火，在铜铬合金表面制备出纳米层。本发明的方法获得的铜铬合金的表面硬度、击穿电压和电导率均有明显增加，并且最大截流值也明显降低，在电触头材料的应用上具有更良好的效果。本方法设备投资少，操作简单，易于实现工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 选择性 表面 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铬合金选择性表面纳米化的方法，其特征在于按以下步骤进行：(1)选取Cr颗粒尺寸为30～180μm的铜铬合金，将铜铬合金用刚性丸粒撞击进行初级破碎，破碎至铜铬合金中Cr颗粒尺寸为1～10μm，然后将铜铬合金放入真空炉中，在真空度为1×10-4～9×10-3Pa和温度280～350℃条件下进行初级退火，退火时退火时间为10～60min；(2)将初级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击进行中级破碎，破碎至铜铬合金中Cr颗粒尺寸为0.1～1μm，然后将铜铬合金放入真空炉中，在真空度为1×10-4～9×10-3Pa和温度280～350℃条件下进行中级退火，退火时间为10～60min；(3)将中级退火后的铜铬合金用刚性丸粒撞击进行最终破碎，破碎至铜铬合金中Cr颗粒尺寸为10～100nm，然后将铜铬合金放入真空炉中，在真空度为1×10-4～9×10-3Pa和温度500～600℃条件下进行最终退火，退火时间为30～120min，在铜铬合金表面制备出纳米层。
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