[发明专利]用于显示设备的阵列基板无效

专利信息
申请号: 201010200580.0 申请日: 2010-06-08
公开(公告)号: CN102062981A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 崔熙东;崔惠英;梁斗锡 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;王凯
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种用于显示设备的阵列基板,该阵列基板包括:基板,其具有像素区域,该像素区域包括开关区域、驱动区域和存储区域;位于基板上方的选通线、数据线和电源线;位于基板上并且位于开关区域中的开关薄膜晶体管(TFT),开关TFT连接到选通线和数据线并且包括第一开关栅极、开关栅绝缘层、开关有源层、第一和第二开关欧姆接触层、开关源极、以及开关漏极;位于基板上并且位于驱动区域中的驱动TFT,驱动TFT连接到开关TFT和电源线并且包括第一驱动栅极、驱动栅绝缘层、驱动有源层、第一和第二驱动欧姆接触层、驱动源极、以及驱动漏极;以及像素电极,其连接到驱动漏极并设置在像素区域中,其中开关TFT还包括位于开关有源层上方的第二开关栅极。
搜索关键词: 用于 显示 设备 阵列
【主权项】:
一种用于显示设备的阵列基板,该阵列基板包括:基板,其具有像素区域,该像素区域包括开关区域、驱动区域和存储区域;位于所述基板上方的选通线、数据线和电源线,所述选通线和数据线彼此交叉以限定所述像素区域;位于所述基板上并且位于所述开关区域中的开关薄膜晶体管TFT,所述开关TFT连接到所述选通线和所述数据线并且包括第一开关栅极、位于所述第一开关栅极上的开关栅绝缘层、位于所述开关栅绝缘层上的本征多晶硅的开关有源层、与所述开关有源层接触的第一开关欧姆接触层和第二开关欧姆接触层、位于所述第一开关欧姆接触层上的开关源极、以及位于所述第二开关欧姆接触层上的开关漏极;位于所述基板上并且位于所述驱动区域中的驱动TFT,所述驱动TFT连接到所述开关TFT和所述电源线并且包括第一驱动栅极、位于所述第一驱动栅极上的驱动栅绝缘层、位于所述驱动栅绝缘层上的本征多晶硅的驱动有源层、与所述驱动有源层接触的第一驱动欧姆接触层和第二驱动欧姆接触层、位于所述第一驱动欧姆接触层上的驱动源极、以及位于所述第二驱动欧姆接触层上的驱动漏极;以及像素电极,其连接到所述驱动漏极并设置在所述像素区域中,其中所述开关TFT还包括位于所述开关有源层上方的第二开关栅极。
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