[发明专利]一种IGBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010200705.X | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102280474A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/04;H01L29/41;H01L21/331;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 410007 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种IGBT器件，包括基板，在所述基板中形成有一个双极管器件和至少一个MOS管器件，所述基板具有第一表面和与其相对的第二表面，以及第三表面和与其相对的第四表面；分别形成于所述第一表面和第二表面至少一个之上的、所述至少一个MOS器件的栅极区；以及分别形成于所述第三表面和第四表面上的、所述IGBT器件的集电极接触层和发射极接触层。本发明有效地利用了衬底的各个表面来形成IGBT器件的各个接触极，提高了器件的电流密度。相应地，本发明还提出了一种IGBT器件的制造方法，该方法能够有效地利用衬底的厚度，提高了衬底的表面积利用率，从而不必额外地引入减薄衬底的步骤而能够制造更薄的IGBT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件，包括基板，在所述基板中形成有一个双极管器件和至少一个MOS管器件，所述基板具有第一表面和与其相对的第二表面，以及第三表面和与其相对的第四表面；形成于所述第一表面和第二表面至少一个之上的、所述至少一个MOS管器件的栅极区；以及分别形成于所述第三表面和第四表面上的、所述IGBT器件的集电极接触层和发射极接触层。
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