[发明专利]侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种侧面兼具分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法，缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层依次层叠形成于蓝宝石基板上，透明导电层形成于P-GaN层上，分布布拉格反射层覆盖于外延层和透明导电层的侧面，金属反射层形成于分布布拉格反射层上，P电极欧姆接触金属层形成于合金金属反射层上，由N电极欧姆接触金属层形成于暴露的N-GaN层上，P电极欧姆接触金属层和N电极欧姆接触金属层通过合金金属导电层及金丝球焊点与散热基板粘合；LED芯片的倾斜侧面设置分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥反射层的优异反射性，提高发光二极管的出光效率。

主权项

侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管，包括：一蓝宝石基板；缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层依次层叠形成于蓝宝石基板上；透明导电层形成于P-GaN层上；分布布拉格反射层覆盖于外延层和透明导电层的侧面；Al/Ag合金金属反射层形成于分布布拉格反射层上；Ti/Au合金制成的P电极欧姆接触金属层形成于Al/Ag合金金属反射层上；由Ni/Au合金制成的N电极欧姆接触金属层形成于暴露的N-GaN层上；P电极欧姆接触金属层和N电极欧姆接触金属层通过Ni/Au合金金属导电层及Au金丝球焊点与Si散热基板粘合。