[发明专利]半导体器件和制造它的方法有效

专利信息
申请号: 201010201360.X 申请日: 2006-01-18
公开(公告)号: CN101950748A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 鹤目卓也 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/13 分类号: H01L27/13;H01L21/77;H01L21/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李进;李连涛
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的是提供具有足以用作天线的导电膜的半导体器件,和制造它的方法。半导体器件具有设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层,设置在元件形成层上的绝缘膜,和设置在绝缘膜上的用作天线的导电膜。绝缘膜具有槽。导电膜沿绝缘膜和槽的表面设置。绝缘膜的槽可被设置穿过绝缘膜。或者,可在绝缘膜中设置凹形部分以便不穿过绝缘膜。对槽的结构没有特殊限制,例如,可设置槽具有锥形形状等。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,该半导体器件包括:提供在第一衬底上的包含晶体管的元件形成层;和提供在第二衬底上的包含导电膜的天线形成层;其中所述第一衬底和第二衬底彼此附着,使所述晶体管和导电膜介于所述第一衬底和第二衬底之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010201360.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top