[发明专利]一种提高电子束曝光效率的方法无效
| 申请号： | 201010201513.0 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101872134A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王秀平;杨晓红;韩勤;王杰;刘少卿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电子束曝光的时间，提高了电子束曝光的效率，降低了微纳加工的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电子束 曝光 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电子束曝光效率的方法，其特征在于，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半。
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