[发明专利]一种AM60B铸造镁合金晶粒细化的方法无效
| 申请号： | 201010201718.9 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101880845A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 张瑞军;刘秋香;张淼 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C22F1/06 | 分类号： | C22F1/06 |
| 代理公司： | 秦皇岛市维信专利事务所 13102 | 代理人： | 鄂长林 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种AM60B铸造镁合金晶粒细化的方法，其特征是：首先对AM60B铸造镁合金进行高压固溶处理，然后再进行常压时效处理。高压固溶处理工艺参数为：压力为3～6GPa，加热温度为400～500℃，保温时间为30～60min，断电保压自然冷却至室温。常压时效处理的具体工艺参数为：加热温度为200～300℃，保温时间为8～12h，水冷至室温。本发明使AM60B铸造镁合金的α-Mg基体晶粒细小且较均匀，平均晶粒尺寸为18.4～12.9μm，仅为常规铸造工艺得到的AM60B镁合金晶粒尺寸的1/5～1/10。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 am60b 铸造 镁合金 晶粒 细化 方法 | ||
【主权项】：
一种AM60B铸造镁合金晶粒细化的方法，其特征是：所述方法使AM60B铸造镁合金的α-Mg基体晶粒细小且均匀，平均晶粒尺寸为18.4～12.9μm，仅为常规铸造工艺得到的AM60B镁合金晶粒尺寸的1/5～1/10；所述方法包括如下步骤：(1)高压固溶处理：将AM60B铸造镁合金置于CS-IIB型六面顶压机中，作用于AM60B铸造镁合金上的压力升高至3～6GPa，温度加热至400～500℃，保温30～60min，之后断电保压自然冷却至室温；(2)常压时效处理：将高压固溶处理后的AM60B铸造镁合金在200～300℃的温度下进行时效处理，保温时间为8～12h，之后水冷至室温。
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