[发明专利]高频超脉冲三维半导体电极水处理反应器技术有效

专利信息
申请号: 201010201907.6 申请日: 2010-06-10
公开(公告)号: CN101880093A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 杨守盛 申请(专利权)人: 杨守盛
主分类号: C02F5/00 分类号: C02F5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 435206 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种高频超脉冲三维半导体反应器水处理技术,能将高浓度难降解有机物快速分解或彻底碳化,能沉淀回收重金属,可将氰根氧化成N2和NH3,由三部分构成:核心参数为输出频率50Hz~20KHz、占空比25%≤d≤100%方波脉冲高频超脉冲发生器,改性活性炭、烧结Al2O3-TiC复合电极、载Mn/Sn/Sb的γ-Al2O3和载CeO2/Sb2O5半导体活性炭配比组成的三维半导体电极,底部进水顶部出水的立式填充床结构反应器。可克服传统技术能耗高、占地面积大、操作繁琐、二次污染等不足。适用于高盐度高浓度难降解有机污水,可用于石油、化工、制药、染料印染、电镀、造纸、养殖、垃圾渗透液、苦咸水等领域。
搜索关键词: 高频 脉冲 三维 半导体 电极 水处理 反应器 技术
【主权项】:
一种高频超脉冲三维半导体电极反应器,其特征(参照图1)是立式三维电极填充床反应器,主体内有填充的三维半导体电极2和上下水平安置经涂钌处理的钛极板1-1、1-2,经涂钌处理的钛极板1-3、1-4视具体项目而定是否安装;污水从底部进水管6进入反应器,通过加强筋5的缝隙和极板1-2的孔隙进入反应器主体,在三维半导体电极2的作用处理后通过极板1-1的空隙到达顶部,从出水口8排出反应器;底部有曝气管口7,用于连接曝气装置;顶部有溢流管口9,可以接气体吸收装置;底部有排污管口10,用于设备不定期排渣;底部有反应器支脚3,上部有反应器吊耳4,便于设备的现场装配。
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