[发明专利]一种在硅片上引入位错的方法无效
| 申请号： | 201010202367.3 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101882573A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;项略略;李东升;金璐 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片上引入位错的方法，采用足以破坏硅晶格的能量束对硅片表面进行辐照，在辐照的区域引入密度可控的位错，位错的密度受能量束的能量强度控制，能量越大，引入的位错密度越大，位错的位置既可在硅片表面也可位于硅片内部，能量束可采用电子束、离子束、电磁波束、α射线束、中子束或光子束等。本发明实现了在硅片上可控的引入位错，操作简便，与现有集成电路工艺良好兼容，对硅片无破坏性、无沾污，可控性强，重复性高，有利于大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 引入 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅片上引入位错的方法，其特征在于，包括：用能量束辐照硅片，所述的能量束足以破坏硅晶格，在受能量束辐照的区域产生位错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
