[发明专利]电子器件封装及制造方法有效
| 申请号： | 201010202786.7 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101924038A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | Q·洛;P·瓦里奥特 | 申请（专利权）人： | LSI公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及电子器件封装及制造方法。一种制造电子器件封装的方法，包括：以第一绝缘层涂覆金属层的第一面；以第二绝缘层涂覆所述金属层的相对的第二面；将所述第一绝缘层图案化以暴露所述金属层的第一面上的接合位置；将所述第二绝缘层图案化以使得所述相对的第二面上的所述第二绝缘层的剩余部分位置正对于所述第一面上的所述接合位置；有选择地去除所述相对的第二面上的未被所述第二绝缘层的剩余部分覆盖的所述金属层的部分，以形成分开的共面金属层，所述分开的共面金属层包括接合位置；以及有选择地去除所述第二绝缘层的所述剩余部分，从而暴露所述分开的共面金属层的所述相对的第二面上的第二接合位置。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造电子器件封装的方法，包括：以第一绝缘层涂覆金属层的第一面；以第二绝缘层涂覆所述金属层的相对的第二面；将所述第一绝缘层图案化以暴露所述金属层的第一面上的接合位置；将所述第二绝缘层图案化，以使得所述相对的第二面上的所述第二绝缘层的剩余部分位置正对于所述第一面上的所述接合位置；有选择地去除所述相对的第二面上的未被所述第二绝缘层的剩余部分覆盖的所述金属层的部分，以形成分开的共面金属层，其中所述分开的共面金属层包括所述接合位置；以及有选择地去除所述第二绝缘层的所述剩余部分，从而暴露所述分开的共面金属层的所述相对的第二面上的第二接合位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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