[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010202798.X | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101924136A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 伊藤伸之;约翰·K·特怀南 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。在一个实施方式中，本发明的半导体装置具备：基板、层积在该基板上且构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上且划定沟道的划定沟道化合物半导体层，且具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象发生的位置的冲击离子控制层，所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成，所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成，所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：基板、层积在该基板上并构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上并划定沟道的划定沟道化合物半导体层；其特征在于，具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象的发生位置的冲击离子控制层，所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成，所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成，所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。
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