[发明专利]非晶氧化物膜的制造方法有效
| 申请号： | 201010203204.7 | 申请日： | 2006-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101859711A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 岩崎达哉 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶氧化物膜的制造方法，所述非晶氧化物膜包含In或Zn，并且用作场效应晶体管的沟道层，所述方法包括以下步骤：在成膜设备中放置基底；以及在以各自的分压在成膜设备中引入氧气和氢气的同时，通过溅射成膜法在基底上形成所述非晶氧化物膜，其中用于所述氢气的分压为0.001至0.01Pa，用于所述氧气的分压为0.008至0.5Pa。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造包含In或Zn的非晶氧化物膜的方法，所述非晶氧化物膜用作场效应晶体管的沟道层，所述方法包括以下步骤：在成膜设备中放置基底；以及在以各自的分压在成膜设备中引入氧气和氢气的同时，通过溅射成膜法在基底上形成所述非晶氧化物膜，其中用于所述氢气的分压为0.001至0.01Pa，用于所述氧气的分压为0.008至0.5Pa。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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