[发明专利]一类铌酸钾钠基无铅压电陶瓷粉体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010203300.1 申请日: 2010-06-12
公开(公告)号: CN101857436A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 黄焱球;刘益雄;刘甜甜;张国喜;李桧林 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/626
代理公司: 武汉华旭知识产权事务所 42214 代理人: 刘荣;周宗贵
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一类铌酸钾钠基无铅压电陶瓷粉体及其制备方法。该粉体的化学通式为:(K1-u-vNauLivAw)(Nb1-n-wSbnHw)O3或(K1-u-vNauLivAw)(Nb1-n-wSbnHw)O3+a MαOβ。其制备方法是:将至少包括可溶性的含K化合物和含Na化合物的可溶性原料溶于水中,形成均一稳定的溶液,作为包覆相;将不溶于水或难溶于水的至少包括含Nb化合物粉末的原料作为被包覆相,与包覆相混合,制得混合悬浮液,经喷雾干燥,得到相应的混合物粉末,再经煅烧,制得铌酸钾钠基无铅压电陶瓷粉体。本发明的压电陶瓷粉体组分分布均一性好,粒径小、分布均匀,且工艺条件简单可控、效率高、能耗低、污染小、适宜工业化连续生产。
搜索关键词: 一类 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一类铌酸钾钠基无铅压电陶瓷粉体,其特征在于该陶瓷粉体的化学通式为:(K1-u-vNauLivAw)(Nb1-n-wSbnHw)O3或(K1-u-vNauLivAw)(Nb1-n-wSbnHw)O3+a MαOβ,式中,u、v、w、n分别表示相应的元素在该化学组成中所占的摩尔数,0.4≤u≤0.6,0≤v≤0.1,0≤w≤0.1,0≤n≤0.1,a为氧化物MαOβ所占的摩尔百分比,0≤a≤0.1,α=1,2或3,β=1,2,3,4或5,A为Li、Na、K、Ag、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Bi、La或Y中的一种或一种以上,H为Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ce、Zr、Mo、Tc、Sn、Pr、Pu、Th、Hf、Ge、Sb、Te、Ta或W中的一种或一种以上,M为Li、Na、K、Ag、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Bi、La、Y、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ce、Zr、Mo、Tc、Sn、Pr、Pu、Th、Hf、Ge、Sb、Te、Ta、W中的一种或一种以上。
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